楼主      问题： MOSFET 测试参数 发布时间： 2003-9-28 上午11:20
作者： 向梦 等级： 初入江湖 积分： 114 分 发送消息 查看用户的所有发言		我们公司用JUNO测试机测试MOSFET,测试的项目有IGSS,IDSS,VTH,BVDSS,BVGSSO,HCBVDSS,RDSON ,我想请教各位, 对各个测试项目的具体说明或者有谁能提供MOSFET的参数说明?

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第 1 楼      回复主题：MOSFET 测试参数 发布时间： 2007-12-14 下午3:22
作者： 阿松 等级： 初入江湖 积分： 134 分 发送消息 查看用户的所有发言		1，VTH这个参数到底起什么作用？,Fc"^ Gy}3F'nu 这个参数表示的是器件从关断状态到开启状态转变的临界电压。/Q$b2C n sw$WA8H 对于MOSFET，Vth一般在1V~5V之间，故功率MOSFET有一定抗干扰 fh NW?~j:h&? x 能力。zIW5mgI 2，VTH，超出规定范围内，偏大时说明什么问题，很大时说明什么问题 MA y,R}g&a2_f 偏小时，极小时？？？f{BnXI;U7} Vth和Rdson两个参数是有这样关系：Vth偏大时，Rdson也会偏大； oq#N t7k Vth偏小时，Rdson也会偏小，BVds也会变小，Idss变大；Vth极小 y!d ?+D9{ v;vy8FI 时，Rdson也会很小，BVds也会很小，Idss很大。[ B }v0l 3, IGSS 仅仅和Gate Oxide厚度和质量相关，表示Gate Oxide漏电情况。

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第 2 楼      回复主题：MOSFET 测试参数 发布时间： 2007-12-28 上午0:46
作者： gzzzn 等级： 初入江湖 积分： 112 分 发送消息 查看用户的所有发言		RDSON:MOSFET开通状态下D-S极的电阻。

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第 3 楼      回复主题：MOSFET 测试参数 发布时间： 2007-12-28 上午0:46
作者： gzzzn 等级： 初入江湖 积分： 112 分 发送消息 查看用户的所有发言		RDSON:MOSFET开通状态下D-S极的电阻。

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