楼主      问题： 关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-21 下午11:23
作者： HuWh 等级： 白银掌门 积分： 8770 分 发送消息 查看用户的所有发言		对于51单片机的I/O口及外部拉电阻，常见到一些模糊认识。稍微总结一下，或许有点用处。 ▲　P1, P2，P3口：对地有一个晶体管做的开关，对电源是内部有个集成电阻（大约几十K～200K前后）, 　　输出时，是由内部晶体管拉到0，或由内部上拉电阻拉到1。    　输入时，片内已有上拉，不存在输入悬空的可能。如果数据来自外面的OC门，片内上拉电阻就成了OC门的上拉。如果数据来自外面的非OC门，则片内上拉电阻已无用处了。 ▲　P0口：片内对电源、对地各有一个晶体管做的开关，无上拉、下拉电阻。    　输出时，是由内部晶体管拉到0，或拉到1。    　输入时，会存在输入悬空的情况，但输入数据是靠外界器件来提供，故意拉上拉下均无意义。    　输入时分二种用法——总线方式或普通Input口方式，方式是由指令决定的，用MOV指令时是普通口，用MOVX指令时是总线口。   ▲　如果P0外部是接的OC门，为了避免输入悬空，应该用上拉电阻。    　如果P0外部是接的非OC门，则不必用上拉电阻。    　至于下拉，就不太合适了，因为不便于与OC门配合。 ▲　复位时，4个口自然是输出全1，不用人操心的。 ▲　关于上拉电阻的大小，    上拉电阻的大小收制于对脉冲沿的时间要求，自然也跟负载电容有管。例如负载电容C=100p,希望RC<0.2uS,则R<2K。R太小会过于耗电（输出0时）。 ▲P1，P2，P3口是否需要外部上拉电阻？    内部上拉电阻大约几十K～200K前后（于产品型号厂家有关）。由上条可知，如果考虑到脉冲沿的要求，也可能需要加外部上拉电阻。

HuWh 编辑于 2008-1-14 上午9:38 鲜花 ( 4 ) 臭鸡蛋 ( 0 )     回复    引用

第 1 楼      回复主题：关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-22 上午1:52
作者： PAN_M 等级： 黄金少侠 积分： 1565 分 发送消息 查看用户的所有发言		51单片机的I/O口中，P1、P2、P3内部都有上拉电阻，可以直接输出高电平和低电平，P0口内部没有上拉电阻，P0在作为I/O口时必须外接上拉电阻，才能输出高电平。I/O口外接上拉电阻后，当输出高电平时，外部负载可以通过上拉电阻获取更大的驱动电流，上拉电阻的数值可以根据负载所需的总驱动电流进行计算得到。如无特殊要求，一般可选用2K～10K欧姆的电阻。如果上拉电阻选得太小，当I/O口输出低电平时，会增加系统的功耗。

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第 2 楼      回复主题：关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-22 上午8:42
作者： 流浪的尘 等级： 青铜少侠 积分： 852 分 发送消息 查看用户的所有发言		谢谢，完全明白了。 P0在不加上拉电阻时，无法输出高电平。

流浪的尘 编辑于 2007-8-22 上午8:46 鲜花 ( 0 ) 臭鸡蛋 ( 0 )     回复    引用

第 3 楼      回复主题：关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-22 上午8:51
作者： 流浪的尘 等级： 青铜少侠 积分： 852 分 发送消息 查看用户的所有发言		所以正好解释了我以前的问题。 51的P0口，复位仍然是低电平，不是我的51损坏，也不是我的什么位配置不对。 而且我以前从书上摘的那句话也是很正确的，合理的解释了P0口。“P0口内部没有上拉电阻，这是它与其他I/O口的不同之处。。。。。”那么还有个问题，下拉时，若电阻很小会增大功耗，若不家下拉电阻，（P1~P3）会损坏么。

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第 4 楼      关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-21 下午11:23
作者： HuWh 等级： 白银掌门 积分： 8770 分 发送消息 查看用户的所有发言		对于51单片机的I/O口及外部拉电阻，常见到一些模糊认识。稍微总结一下，或许有点用处。 ▲　P1, P2，P3口：对地有一个晶体管做的开关，对电源是内部有个集成电阻（大约几十K～200K前后）, 　　输出时，是由内部晶体管拉到0，或由内部上拉电阻拉到1。    　输入时，片内已有上拉，不存在输入悬空的可能。如果数据来自外面的OC门，片内上拉电阻就成了OC门的上拉。如果数据来自外面的非OC门，则片内上拉电阻已无用处了。 ▲　P0口：片内对电源、对地各有一个晶体管做的开关，无上拉、下拉电阻。    　输出时，是由内部晶体管拉到0，或拉到1。    　输入时，会存在输入悬空的情况，但输入数据是靠外界器件来提供，故意拉上拉下均无意义。    　输入时分二种用法——总线方式或普通Input口方式，方式是由指令决定的，用MOV指令时是普通口，用MOVX指令时是总线口。   ▲　如果P0外部是接的OC门，为了避免输入悬空，应该用上拉电阻。    　如果P0外部是接的非OC门，则不必用上拉电阻。    　至于下拉，就不太合适了，因为不便于与OC门配合。 ▲　复位时，4个口自然是输出全1，不用人操心的。 　 ▲关于上拉电阻的大小，    上拉电阻的大小收制于对脉冲沿的时间要求，自然也跟负载电容有管。例如负载电容C=100p,希望RC<0.2uS,则R<2K。R太小会过于耗电（输出0时）。 ▲P1，P2，P3口是否需要外部上拉电阻？    内部上拉电阻大约几十K～200K前后（与产品型号厂家有关）。由上条可知，如果考虑到脉冲沿的要求，也可能需要加外部上拉电阻。

HuWh 编辑于 2007-8-22 下午3:40 鲜花 ( 0 ) 臭鸡蛋 ( 0 )     回复    引用

第 5 楼      回复第２楼 发布时间： 2007-8-22 下午3:53
作者： HuWh 等级： 白银掌门 积分： 8770 分 发送消息 查看用户的所有发言		以下是引用 HuWh 在 2007-8-21 下午11:23 的发言 谢谢，完全明白了。 P0在不加上拉电阻时，无法输出高电平。 ----------------------- 你仍然理解错了，而且是大错

HuWh 编辑于 2007-8-22 下午6:43 鲜花 ( 0 ) 臭鸡蛋 ( 0 )     回复    引用

第 6 楼      回复主题：回复第２楼 发布时间： 2007-8-23 下午1:53
作者： 流浪的尘 等级： 青铜少侠 积分： 852 分 发送消息 查看用户的所有发言		以下是引用 HuWh 在 2007-8-22 下午3:53 的发言 谢谢，完全明白了。 P0在不加上拉电阻时，无法输出高电平。 ----------------------- 你仍然理解错了，而且是大错 我是针对我以前的问题，在上电单片机复位，P0悬空的情况下。P0不输出高电平吧。

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第 7 楼      回复主题：回复第２楼 发布时间： 2007-8-23 下午1:56
作者： 流浪的尘 等级： 青铜少侠 积分： 852 分 发送消息 查看用户的所有发言		如果复位时P0口也是1的话，那我的设计就不用该了。可是我测了3个89S52，复位时P0口都是0。 看来这个问题没解决。

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第 8 楼      回复主题：关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-23 下午2:16
作者： HuWh 等级： 白银掌门 积分： 8770 分 发送消息 查看用户的所有发言		复位时P0口不是0，只能理解为是你外部有东西把它拉下去了，不找出这个东西，强行拉，只可能损坏器件

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第 9 楼      回复主题：关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-23 下午4:59
作者： 小李飞刀的刀 等级： 遁门入道 积分： 330 分 发送消息 查看用户的所有发言		路过路过，学点东西。。有大侠解答，我就说不上什么了，，哈哈。。

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第 10 楼      回复主题：关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-23 下午5:14
作者： yuea 等级： 初入江湖 积分： 102 分 发送消息 查看用户的所有发言		谢谢，这回明白多了！

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第 11 楼      回复主题：关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-24 下午9:00
作者： 风雨断肠人 等级： 初入江湖 积分： 111 分 发送消息 查看用户的所有发言		路过也可以学到东西，多谢了

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第 12 楼      回复主题：关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-24 下午9:15
作者： PAN_M 等级： 黄金少侠 积分： 1565 分 发送消息 查看用户的所有发言		复位时P0口～P3口的锁存器输出都是FFH，用万用表测量时，由于P1～P3口内部都有上拉电阻，所以检测到的是“1”（高电平）。而P0口内部没有上拉电阻，内部上下两个晶体管都处于截止状态，输出为第三态（高阻态），万用表所检测到的对地电压应该是0V。

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第 13 楼      回复主题：关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-24 下午9:16
作者： PAN_M 等级： 黄金少侠 积分： 1565 分 发送消息 查看用户的所有发言		复位时P0口～P3口的锁存器输出都是FFH，用万用表测量时，由于P1～P3口内部都有上拉电阻，所以检测到的是“1”（高电平）。而P0口内部没有上拉电阻，内部上下两个晶体管都处于截止状态，输出为第三态（高阻态），万用表所检测到的对地电压应该是0V。

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第 14 楼      回复主题：关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-24 下午9:50
作者： 老兴 等级： 白银长老 积分： 4448 分 发送消息 查看用户的所有发言		51单片机复位时P0口是高阻状态，万用表所检测到的对地电压是0V，但是万用表检测对电源电压也是0V，所以非高电平也非地电平，如果复位期间一定要确定输出电平就要加电阻来控制。这个是51单片机设计之初用于总线方式的考虑，也应用的时候需要注意的问题。

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第 15 楼      回复主题：关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-25 上午11:50
作者： HuWh 等级： 白银掌门 积分： 8770 分 发送消息 查看用户的所有发言		完全被搅晕头了。 核实过了。也查过以前的例程，复位时P0寄存器是FF，但P0口的确是高阻状态。 如果想在上电后使其成为某需要的电平，是在上电初始化程序中实现的，对一个无效地址做了一个MOVX输出。 很多评估板上不是这种表现，因为经过了缓冲电路，所以很难发现这个现象。

HuWh 编辑于 2007-8-25 上午11:51 鲜花 ( 0 ) 臭鸡蛋 ( 0 )     回复    引用

第 16 楼      回复主题：关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-26 上午10:59
作者： 爱吃肉的老鼠 等级： 初入江湖 积分： 159 分 发送消息 查看用户的所有发言		各位大侠的切磋解答了我许多疑问,谢谢

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第 17 楼      回复主题：关于51单片机的I/O口及外部拉电阻 发布时间： 2007-8-26 上午11:06

作者： 爱吃肉的老鼠 等级： 初入江湖 积分： 159 分 发送消息 查看用户的所有发言